In EntwicklungTechnik·21.06.2026KI-ZusammenfassungKERI, SiC 전력반도체 '킬러 결함' 정체 규명…고품질 양산 기대한국전기연구원(KERI)이 SiC 전력반도체 제조 시 발생하는 '킬러 결함'의 내부 구조와 발생 원리를 규명했다. 충남대, 호리바에스텍코리아와 공동 연구로 진행된 이번 성과는 고품질 SiC 전력반도체 양산의 기술적 기반이 될 것으로 기대된다.연연합뉴스