中國記憶體巨頭擴大增產，恐衝擊全球市場

中國記憶體巨頭長鑫存儲和長江存儲正在擴大增產。（路透資料照）

長鑫存儲和長江存儲正在擴大增產

〔財經頻道／綜合報導〕在AI熱潮推動下，記憶體需求大幅飆升，推動記憶體價格成長，不過最近有消息傳出，隨著中國記憶體大廠擴產，大量向市場投放DRAM（動態隨機存取記憶體）和NAND（儲存型快閃記憶體）晶片，記憶體價格可能會暴跌。

在全球記憶體價格居高不下的情況下，中國記憶體巨頭長鑫存儲和長江存儲正在擴大增產，這預計將對南韓三星、SK海力士和美國美光等公司的市場領導地位構成威脅。中國的策略很簡單，讓低價的DRAM和NAND充斥市場，打壓競爭對手，進而佔領全球市佔。現在長鑫存儲佔了全球DRAM市場7.7％的市佔，長江存儲則佔全球NAND市場的11-13％。

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由於DRAM和NAND的價格通常會隨著供需變化而大幅波動，如果中國企業持續增加低價庫存，買家可能會獲得更大的議價能力，進而削弱現有供應商的競爭力。

長鑫存儲在2025年營收翻倍，達到80億美元。（路透資料照）

長鑫DRAM售價不到市價一半

分析指出，中國長鑫存儲的DRAM售價約為150美元（約新台幣4700元），而全球平均價格則在300至400美元（約新台幣9400至1萬2570元）之間。這種價格差距為中國供應商提供了市場機會，比競爭對手低15％以上的記憶體晶片，吸引了買家將其應用在PC、伺服器以及儲存裝置等領域。

據報導，美商海盜船（Corsair）已測試了採用長鑫存儲晶片的DDR5模組，這家公司通常會從大型供應商採購晶片，然而，價格上漲似乎正促使製造商嘗試更便宜的替代方案。2月報導也傳出，從惠普、戴爾到宏碁、華碩在內的PC廠，都開始考慮採購中國製記憶體晶片。

不過，這並不代表全球所有PC品牌都會迅速轉向中國晶片，性能、可靠性、認證、供應穩定性以及客戶信任仍然重要。然而，即使採用率有限，如果買家利用中國更便宜的供應作為槓桿，也會對價格造成壓力。

此外，中國的目標市場不僅限於消費者PC。長江存儲和其他中國企業正在擴大快閃記憶體的產量，與此同時，一些供應商正在研發用於伺服器和資料中心的DDR5 RDIMM記憶體，這使得中國記憶體供應商更接近高價值市場。

2026年第1季，長江存儲營收超過20億人民幣。（路透資料照）

蘋果正重新評估是否使用長江存儲NAND記憶體

中國晶片製造商去年營收創下歷史新高，分析師和這些公司也預計今年的營收將進一步成長，顯示出中國晶片廠如何利用國內科技巨頭構建AI基礎設施的強勁需求。

長鑫存儲在2025年營收翻倍，達到80億美元（約新台幣2514億元），根據去年12月的公開說明書，這家公司在過去3季的銷售幾乎翻倍，達到320億人民幣（約新台幣1493.44億元）。這段期間，淨虧損減少了約1.79％，降至53億人民幣（約新台幣247.35億元）。

受到AI驅動的資料中心需求激增推動，2026年第1季，長江存儲營收超過20億人民幣（約新台幣93.34億元），年成長增1倍。儘管長江存儲的收入規模仍落後，市佔率約11％，但這家公司正在快速成長，並計劃在年底前進一步擴張，進軍高階產品市場。

2022年，由於美國實施出口管制，長江存儲試圖打入蘋果供應鏈的計劃受阻。在這之後，長江存儲將業務拓展至東南亞，同時深化中國本土的業務。不過，《路透》報導指出，在供應限制的衝擊下，蘋果正在重新評估是否使用長江存儲的NAND快閃記憶體。

業界人士指出，為蘋果供貨代表著長江存儲進軍全球頂頂級供應鏈，不再侷限於以中國為中心的業務範圍。考慮到蘋果長期以來從三星、SK海力士和鎧俠（Kioxia），長江存儲的市場地位將發生重大變化。

專家警告，來自中企的挑戰，正在給記憶體產業帶來實際的競爭威脅。（彭博資料照）

記憶體不需先進曝光技術

南韓祥明大學系統半導體工程教授李鍾煥（Jong-hwan Lee）表示，與DRAM或代工製程相比，NAND快閃記憶體對先進曝光技術的依賴性較低。值得注意的是，在美國設備的制裁下，中國企業在這一領域相對更容易取得進展，因為中國企業更依賴國產工具。

李鍾煥指出，來自中國企業的挑戰，構成了實際的競爭威脅，凸顯出保持警惕的必要性，南韓晶片製造商應該要繼續擴大研發投入，以鞏固自身的技術優勢。

據報導，長江存儲也正縮小與領先企業的技術差距，目前已達成270層的NAND快閃記憶體，先前公佈了採用了294層的SSD（固態硬碟）晶片，並準備在今年內量產300層的NAND快閃記憶體。SK海力士目前已開始量產321層NAND，三星則為286層。

產業人士警告，從層數這個關鍵指標來看，中國在NAND快閃記憶體領域已經與南韓並駕齊驅，為了保持競爭優勢，南韓晶片製造商需要開發下一代技術，包括高頻寬快閃記憶體。

隨著中國製造商擴產，記憶體價格可能會暴跌。（彭博資料照）

長鑫未來恐能向華為供應HBM晶片

儘管美國限制了中國取得先進晶片製造設備的能力，中國仍取得了進展，商業諮詢公司DGA集團技術政策負責人崔歐洛（Paul Triolo）表示，面對美國對記憶體的管制，長鑫存儲的進展讓業界感到驚訝。如果長鑫未來能夠向華為供應HBM晶片，美國的擔憂將加劇。

根據國家智庫科技、民主與社會研究中心（DSET）發佈的報告，長鑫的發展基礎建立在其他公司遺留的資產上，透過收購海外專利、延攬國際人才，迅速提升中國記憶體研發能力。創立初期，長鑫收購了已經破產的德國DRAM公司奇夢達（Qimonda）數千項專利，並以此為基礎，2019年推出首款中國本土設計與生產的DDR4產品。除此之外，長鑫延攬了數百名台灣記憶體工程師，對台灣記憶體產業造成嚴重衝擊。

南韓檢察機構在12月表示，他們已起訴包含三星前高層和員工在內的10人，指控他們向長鑫存儲轉移機密，包括用於幫助長鑫量產先進DRAM晶片的技術。檢察官表示，商業機密外洩，導致三星和南韓以半導體主導的經濟損失數十億美元。

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