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Geri聯電前董事長曹興誠建議召開國際記者會說明台灣半導體技術來源
聯電前董事長曹興誠建議召開國際記者會說明台灣半導體技術來源
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自由时报20.05.2026Teknoloji5 dk okumaChina

聯電前董事長曹興誠建議召開國際記者會說明台灣半導體技術來源

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聯電前董事長曹興誠針對美國總統川普指控台灣竊取半導體技術一事,建議行政院、工研院、台積電召開國際記者會,說明台灣半導體技術的購買、研發歷程,以正視聽。

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聯電前董事長曹興誠(資料照)

〔即時新聞/綜合報導〕美國總統川普先前公開稱台灣是「晶片小偷」,搶走美國產業機會;對此,聯電前董事長曹興誠指出台灣的半導體技術當初是向美國購買的,並透露往事,直言強烈建議行政院、工研院、台積電,針對台灣半導體技術的來源和多年來台灣不斷投入鉅額資源、艱苦研發的經過,召開國際記者會詳細說明,以正國際視聽。

曹興誠在臉書PO文表示,美國總統川普訪中(川習會)後,於北京接受福斯新聞(Fox News)主播布萊特·拜爾(Bret Baier)與漢尼提(Sean Hannity)的專訪,再度公開指責台灣偷竊了美國的半導體技術;奇怪的是,台灣政府或台積電至今對此全無澄清,失職失能極其嚴重,台灣的半導體技術當初是向美國購買的。雙方於1976年3月5日,由工業技術研究院(工研院)代表台灣與 美國RCA 公司正式簽署合約,合約為期10年。合約金額為350萬美元,分為兩個部分「技術移轉費:250萬美元、技術授權:100萬美元」

曹興誠指出,在當時台灣國民平均年所得不到400美元的年代,這是一筆極為龐大的國家賭注。政府當年為整個「積體電路計畫」編列了約1000萬美元(約合當時新台幣4億元)的專案預算,除了支付給RCA的350萬美元技術費用外,其餘資金則用於興建台灣第一座3吋晶圓「示範工廠」,以及分批派遣年輕工程師(包括曹興誠,史欽泰、曾繁城、劉英達、蔡明介等20餘人)前往美國 RCA 總部接受實地培訓,1976年我們向RCA 購買的是7微米的CMOS技術,而當時美國尖端技術是3.5微米的NMOS技術。我們所以選擇CMOS ,一是因爲購買CMOS 技術的費用便宜,二是CMOS 較省電,適合用於低階消費性產品,可以配合台灣消費電子業的發展。

曹興誠續指,3吋晶圓廠和7微米技術可說非常低微的起步。但工研院電子所的這座「示範工廠」示範得相當成功,於是政府決定,由電子所技術移轉給1980年成立的聯華電子公司,另行建立4吋晶圓廠,以走向民間和商業化。為了支付工研院的技術移轉,聯電成立時免費給了經濟部15%的技術股,聯華電子公司在我的帶領下,於1983年就創造了每股近七元的淨利,並在1985年成功上市,受到聯電成功的激勵,1983年,政府決定在工研院內,再建一座3微米技術的6吋晶圓示範工廠。投入了經費約一億美元,花費四年,研發完成了3微米技術同時培養出了約400名工程師。

曹興誠補充,1987年,這些工程師全數「轉進」新成立的「台灣積體電路公司」,並回頭「租用」該示範工廠,讓台積電成立的第一天就擁有了3微米的進步技術和嶄新的可以商業化的工廠,台積電租用工研院「示範工廠」的費用極為低廉,每年僅2百萬美金,事先還由經濟部支付給台積電7百萬美元當成「研發費用」,等於讓台積電無償使用「示範工廠」3年半,這就是台積電業務一開始就能順利起飛的原因。

曹興誠說,台積電以這樣的方式「取得」了3微米技術和工廠,而當時張忠謀先生同時兼任工研院和台積電的董事長,當然有「化公為私」的爭議;曹興誠當年就公開提出質疑,要求聯電可以參與「租用」的比價競爭;結果遭到政府打壓,還差點因此被聯電董事會解聘。或許因為如此,台積電對於其技術來源始終避而不談,面對美國一再侮辱台灣偷竊美國技術,台積電也默不作聲。

曹興誠直言,川普一再指責台灣偷竊美國半導體技術,後果相當嚴重。除了外交上的不友善,川普也以此為藉口,逼迫台灣去美國設廠,以求拆除台灣的「矽盾」。台灣不宜再悶著頭挨罵,不敢辯駁,因此強烈建議行政院、工研院、台積電,針對台灣半導體技術的來源和多年來台灣不斷投入鉅額資源、艱苦研發的經過,召開國際記者會詳細說明,以正國際視聽。

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