نظرة سريعة
美國等國限制EUV設備出口中國，蔡司執行長羅蒙德預計中國製造能力將限於7奈米。儘管中國可利用DUV多重曝光生產5奈米晶片，但此法成本高且不可行。另有報導指中國自主研發EUV原型機已啟動，但其發展仍面臨挑戰。
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لماذا يهم
美國等國政府制定嚴格規定，阻止蔡司和艾斯摩爾等公司向中國出口極紫外光曝光機（EUV）設備，旨在限制中國在先進晶片製造領域的發展。
目前中國沒有EUV技術，可利用DUV技術透過多重曝光製造出5奈米級晶片，但對長期來說並不可行。
美國等各國政府制定嚴格規定阻止德國光學大廠蔡司（Zeiss）和荷蘭半導體設備商艾斯摩爾（ASML）等公司向中國出口極紫外光曝光機（EUV）設備，這將阻礙中國未來的發展。DigiTimes報導指出，隨著台積電加速推進2奈米製程的生產，蔡司執行長弗蘭克·羅蒙德（Frank Rohmund）認為，中國的製造能力將僅限於7奈米製程；中國在EUV技術的差距阻礙半導體產業的追趕步伐。
在美國出口管制措施的限制下，中國陷入先進晶片製造業務的困境，管制措施使得中國無法從荷蘭製造商ASML獲得尖端的極紫外光曝光設備。這一巨大的障礙迫使中國最大的半導體代工廠轉而使用深紫外光（DUV）曝光設備進行多重曝光技術。羅蒙德表示，從商業角度來看，這無助於推動中國先進發展。
羅蒙德指出，即使沒有EUV技術，中國也可以利用DUV技術，透過多重曝光製程製造出5奈米級晶片，但其顯而易見的缺點包括製程複雜、良率低、成本高，多重曝光方法長期來看不可行。此外，羅蒙德表示，只有政府出手提供大量補貼支持這些項目，這種方法才切實可行。
外媒wccftech則指出，早前有報導稱，中國將於2025年開始試生產自主研發的極紫外光曝光機，但此後並未有任何後續消息，這些說法最終不了了之。除非中國找到繞過美國出口管制的方法，例如走私或其他非法手段，否則隨著中國無法取得極紫外光曝光機，其競爭力差距將逐漸擴大。
另外，據《路透》與相關調查指出，位於深圳一座由中央科技委員會管理的保密設施內，首台全國產化的極紫外光曝光機原型機已成功啟動。
أسئلة مفتوحة
- 中國自主研發EUV原型機的具體進展如何？
- DUV多重曝光技術的長期成本效益和良率能否改善？
- 中國能否找到繞過美國出口管制的方法？
