美光科技：記憶體短缺將持續至2026年後

美國記憶體巨頭美光科技認為，HBM、NAND和DRAM產品的記憶體市場短缺狀況將持續到2026年以後。摩根大通在一份投資報告中分享美光的觀點，該報告引用了美光管理層在麻州波士頓舉行的第54屆摩根大通全球科技、媒體和通訊 （TMC） 年度大會上的見解。

摩根大通在報告中指出，美光科技在TMC大會上表示，由於高效能記憶體晶片能夠提升人工智慧模式的效能，預計記憶體市場的供應緊張狀況將持續到2026年以後。摩根大通也補充道，美光認為，由於HBM、NAND和DRAM晶片的供應難以增加，預計這種供應緊張的局面將持續相當長一段時間。

摩根大通補充道，多種因素導致記憶體市場的供應緊張。主要原因在於，隨著記憶體晶片世代更迭，效能提升速度逐漸放緩，以及新型HBM晶片的晶片尺寸不斷增加。此外，EUV微影技術預計也將在最新的DRAM記憶體製造中發揮關鍵作用。

根據摩根大通指出，美光高層在會上表示，由於人工智慧應用的需求激增，1-gamma 製程有望成為該公司歷史上晶圓產量最高的DRAM製程。 HBM記憶體晶片通常用於人工智慧GPU，它透過將DRAM模組堆疊起來，然後將整個晶片封裝而成。美光也表示，該公司正在繼續將EUV晶片製造光刻技術整合到1-gamma記憶體生產中。

在產能方面，美光也透露，由於人工智慧市場需求強勁，HBM4的產能提升速度是HBM3的兩倍。該公司補充說，下一代HBM4E記憶體預計將於2027年開始量產，首批樣品將採用1-gamma製程生產的DRAM模組。