Eilmeldung
ESDeclarada la emergencia de interés nacional en la Comunidad de Madrid y ÁvilaESMarlaska: "No podemos ser optimistas" ante los incendios de Ávila y MadridESMexicali y Sonora Enfrentan Ola de Calor Extrema con Temperaturas de Hasta 48 Grados y Múltiples DecesosESGuardiola rechaza ser seleccionador de Italia; Mancini y Pirlo, principales candidatosESSondeo: ¿El ex gobernador Ernesto Ruffo es culpable o inocente?ESZapatero rompe su silencio y defiende su inocencia en el caso Plus UltraESINE pospone otra vez regulación de procesos internos partidistasESJoven bilbaína en coma en Australia: la familia se enfrenta a una deuda médica de 420.000 eurosESLa Comunidad de Madrid activa autobuses interurbanos para evacuaciones por incendios forestalesESBruselas valora "positivamente" arancel del 10% de Trump a la UEESDeclarada la emergencia de interés nacional en la Comunidad de Madrid y ÁvilaESMarlaska: "No podemos ser optimistas" ante los incendios de Ávila y MadridESMexicali y Sonora Enfrentan Ola de Calor Extrema con Temperaturas de Hasta 48 Grados y Múltiples DecesosESGuardiola rechaza ser seleccionador de Italia; Mancini y Pirlo, principales candidatosESSondeo: ¿El ex gobernador Ernesto Ruffo es culpable o inocente?ESZapatero rompe su silencio y defiende su inocencia en el caso Plus UltraESINE pospone otra vez regulación de procesos internos partidistasESJoven bilbaína en coma en Australia: la familia se enfrenta a una deuda médica de 420.000 eurosESLa Comunidad de Madrid activa autobuses interurbanos para evacuaciones por incendios forestalesESBruselas valora "positivamente" arancel del 10% de Trump a la UE
Newsgather

dram teknolojisi

Stabil3 Meldungen1 QuellenZuletzt aktualisiert: 26.4.2026
Verwandte Themensamsungdramigzobellek teknolojisi10nm4f hücre yapısıvct teknolojisiyarı iletken

Neueste Meldungen

Samsung, 10nm Altı DRAM Teknolojisiyle Kapasiteyi %50 Artırmayı Hedefliyor
In Entwicklung
Technik·26.4.2026KI-Zusammenfassung

Samsung, 10nm Altı DRAM Teknolojisiyle Kapasiteyi %50 Artırmayı Hedefliyor

Samsung, 10 nanometre altı üretim teknolojisi ve yeni 4F hücre yapısı kullanarak DRAM kapasitesini yüzde 50'ye kadar artırmayı hedefliyor. Şirket, 10a olarak adlandırılan yeni nesil üretim sürecinde 4F kare hücre yapısı ve Dikey Kanal Transistörü (VCT) teknolojisini ilk kez uyguladı. Bu teknik sayesinde 9.5-9.7nm arasına ölçeklenme bekleniyor. IGZO malzeme kullanımı da dahil edilen teknoloji, 2028'de seri üretime geçecek.

S
ShiftDelete
2 Min. Lesezeit
NEO Semiconductor 3D X-DRAM PoC Aşamasını Tamamladı
In Entwicklung
Technik·26.4.2026KI-Zusammenfassung

NEO Semiconductor 3D X-DRAM PoC Aşamasını Tamamladı

NEO Semiconductor, yapay zeka ve sunucu dünyası için geliştirdiği 3D X-DRAM teknolojisinde kavram kanıtlama aşamasını tamamladı. Geleneksel DRAM'e göre 10 kat daha fazla yoğunluk sunan bu teknoloji, 1T1C ve 3T0C hücre yapılarıyla farklı uygulama alanlarına çözümler sunuyor. IGZO kanal teknolojisi ile 85°C'de 1 saniyenin üzerinde veri saklama süresi elde edildi.

S
ShiftDelete
1 Min. Lesezeit
Samsung, D1d DRAM Teknolojisindeki Düşük Verim Nedeniyle HBM5E Bellek Üretimini Erteledi
In Entwicklung
Technik·22.4.2026KI-Zusammenfassung

Samsung, D1d DRAM Teknolojisindeki Düşük Verim Nedeniyle HBM5E Bellek Üretimini Erteledi

Samsung Electronics, 10nm sınıfı D1d DRAM teknolojisindeki düşük verim oranları nedeniyle HBM5E bellek çözümlerinin seri üretimini süresiz askıya aldı. Şirket, iç hedefleri yakalayamayan bu teknoloji üzerindeki üretim planlarını yeniden inceleme kararı aldı. AI çip pazarındaki rekabetçi konumunu korumak isteyen Samsung, Güney Kore'nin Onyang bölgesinde dört futbol sahası büyüklüğünde devasa bir üretim tesisi inşa ediyor.

S
ShiftDelete
1 Min. Lesezeit