Samsung, D1d DRAM Teknolojisindeki Düşük Verim Nedeniyle HBM5E Bellek Üretimini Erteledi

Samsung Electronics, 10nm sınıfı D1d DRAM teknolojisindeki verim düşüklüğü nedeniyle, gelecek nesil HBM5E bellek çözümlerinin seri üretimini süresiz olarak askıya aldığını duyurdu. Güney Koreli teknoloji devinin, iç hedefleri yakalayamayan bu teknoloji üzerindeki üretim planlarını, süreç yol haritasını yeniden incelemek amacıyla durdurduğu bildirildi.

Pre-production onayı alınmış olmasına rağmen, düşük verim seviyelerinin yatırım getirisini riske atması bu kritik kararın alınmasında etkili oldu. Şirket, üretim hattındaki darboğazı aşmak için yoğun bir çalışma yürütüyor. Üretim verimindeki başarısızlık, Samsung'un yapay zeka pazarındaki rekabetçi konumunu doğrudan etkiliyor.

Samsung'un iç kaynaklarından edinilen bilgilere göre, D1d DRAM teknolojisi şirketin HBM yol haritasında merkezi bir rol üstleniyor. 9. nesil HBM çözümü olan HBM5E için temel teşkil eden bu teknoloji, şu an için seri üretime geçmeye hazır görünmüyor. Daha önce geliştirme döngülerini kısalttığını duyuran şirket, üretim aşamasındaki bu teknik engeli aşmak için operasyonel stratejilerini değiştirmek zorunda kaldı.

Halen kullanılmakta olan 1c DRAM teknolojisi; HBM4, HBM4E ve HBM5 serilerinde görev yapmaya devam ediyor. NVIDIA ve AMD gibi teknoloji devleri, önümüzdeki dönemde piyasaya sürülecek yeni nesil yapay zeka hızlandırıcılarında bu mevcut çözümlere odaklanıyor.

Şirket, karşılaştığı bu zorlukları aşmak ve SK Hynix gibi rakipleriyle olan rekabetini sürdürebilmek için Güney Kore'nin Onyang bölgesinde devasa bir üretim tesisi inşa ediyor. Dört futbol sahası büyüklüğündeki bu fabrika, paketleme, test süreçleri ve lojistikten sorumlu bir merkez olarak konumlandırılıyor. Samsung, bu devasa yatırımla hem üretim kapasitesini artırmayı hem de kalite kontrol standartlarını yükselterek verim sorunlarını minimize etmeyi amaçlıyor.