國研院攜手台日學者 成功製備6吋晶圓二硫化鎢連續膜

國研院攜手台日頂尖學者成功將6吋晶圓二硫化鎢100%全覆蓋連續膜。（國研院提供）

〔記者楊媛婷／台北報導〕半導體晶圓的二維材料被視為是延續摩爾定律的關鍵解方，國研院國儀中心攜手陽交大、日本東京大學、國研院半導體中心，突破傳統二維半導體製程限制，成功建立晶圓級二維材料製程與設備研發平台，實現6吋晶圓單層材料二硫化鎢（WS₂）100%全覆蓋連續膜的高均勻成長。

過去台積電和艾司摩爾（ASML）與比利時微電子研究中心團隊曾合作成功發表大面積單層二維材料100%全覆蓋的連續膜晶圓，國儀中心在2020年起成功開發出8至12吋等級之二維材料製程設備平台，並向下相容完成6吋晶圓規模之單層二維材料成長，達成100%全覆蓋率（full coverage），成功克服二維材料在大面積成長中常見材料不均與缺陷問題，展現高度均勻性之連續膜與製程穩定性，並將這6吋晶圓交給半導體中心製作出元件並測試，成功驗證該二維材料應用在實際元件的可行性，並建立完整技術鏈。

國儀中心更進一步和台日頂尖學者建立技術驗證體系，由陽交大教授張文豪團隊在國儀中心建立的二維材料檢測平台進行二維材料製程驗證，確立其磊晶品質與均勻性；並進行二維材料特性分析與驗證，東京大學教授童俊智則是在該平台驗證新穎二維硼碳氮材料之厚度、晶體結構、導電度等物性，符合二維材料所具備特性，國研院表示，兩位學者的研究各獲得頂尖期刊《自然電子》、《自然》刊登，也顯示國儀中心建立的平台具備支援國際頂尖研究能力。

國研院表示，國儀中心開發的「大面積二維材料製程設備與檢測技術」，代表我國在二維材料關鍵設備與製程技術上的重大突破，透過台日合作，深化檢測與驗證能量，可協助產業界提升整體國際競爭力，強化晶片自主化發展與供應鏈的安全與韌性。

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