ShiftDelete26.04.2026Tech1 dk okumaTürkiye

Samsung Exynos 2700, SBS Mimarisi ve Geliştirilmiş Soğutma ile Bellek Bant Genişliğini %40 Artırıyor

Yeni nesil işlemci, 2nm GAA süreci ve FOWLP teknolojisiyle Snapdragon'a karşı avantaj sağlamayı hedefliyor

L'essentiel

Samsung, Exynos 2700 işlemcisinde yan yana (SBS) mimarisi ve geliştirilmiş soğutma sistemiyle bellek bant genişliğini yüzde 30-40 oranında artırmayı hedefliyor.
2nm GAA (SF2P) üretim sürecinden güç alan işlemci, FOWLP teknolojisi kullanarak RAM'i SoC'nin yanına yerleştiriyor ve böylece ısı dağıtıcının hem SoC hem de RAM üzerinde doğrudan konumlanmasına olanak tanıyor.

Résumé généré par IA

Pourquoi c'est important

Samsung, Exynos 2600 modelinde yeni nesil soğutucu tasarımıyla termal kararlılık konusunda önemli bir adım atmıştı. Exynos 2600, halihazırda Qualcomm'un Snapdragon 8 Elite Gen 5 işlemcisine göre daha yüksek termal kararlılık sergiliyor.

Taille de police

Samsung, Exynos 2700 işlemcisinde yenilikçi yan yana (SBS) mimarisi ve geliştirilmiş soğutma sistemiyle bellek bant genişliğini yüzde 40'a varan oranda artırıyor. Samsung, Exynos 2600 işlemcisinde kullandığı yeni nesil soğutucu tasarımıyla termal kararlılık konusunda önemli bir adım atmıştı. Şirket şimdi ise Exynos 2700 modeliyle bu başarısını bir üst seviyeye taşımaya hazırlanıyor.

Yeni nesil Exynos 2700, yenilikçi yan yana (SBS) mimarisi ve geliştirilmiş soğutma sistemiyle dikkat çekiyor. Bu tasarım değişikliği, işlemcinin bellek bant genişliğinde ciddi bir artış vadediyor.

Exynos 2700, Samsung'un 2nm GAA üretim sürecinin bir sonraki aşaması olan SF2P teknolojisinden güç alıyor. Gate-All-Around mimarisi, transistörün kanalı dört taraftan çevreleyerek daha iyi elektrostatik kontrol ve düşük voltaj eşiği sağlıyor. Yeni SF2P süreci, önceki nesil SF2 düğümüne kıyasla yüzde 12 daha yüksek performans ve yüzde 25 daha düşük enerji tüketimi sunuyor.

İşlemcinin iç yapısındaki en dikkat çekici değişiklik ise yerleşim düzeninde gerçekleşiyor. Exynos 2600 modelinde RAM, SoC'nin üzerine yerleştiriliyor ve ısı dağıtıcı blok bu katmanların en üstünde bulunuyordu. Bu sandviç benzeri tasarım, ısının SoC ile RAM arasında hapsolmasına neden olabiliyordu.

Samsung, Exynos 2700 ile Fan-out Wafer Level Packaging (FOWLP) teknolojisini kullanarak RAM'i SoC'nin yanına yerleştiriyor. Bu entegrasyon sayesinde bağlantı yolları kısalıyor ve bellek bant genişliğinde yüzde 30 ile yüzde 40 arasında bir artış bekleniyor. Ayrıca bu yeni düzenleme, ısı dağıtıcı bloğun hem SoC hem de RAM üzerinde doğrudan konumlanmasına olanak tanıyor. Bu durum, işlemcinin genel termal kararlılığını önemli ölçüde iyileştiriyor.

Exynos 2600, halihazırda Qualcomm'un Snapdragon 8 Elite Gen 5 işlemcisine göre daha yüksek bir termal kararlılık sergiliyor. Samsung'un Exynos 2700 ile sunduğu bu yeni mimari yenilikler, aradaki farkın daha da açılmasını sağlıyor. Şirket, bu tasarım hamlesiyle gerçek dünya performansında belirgin bir iyileşme hedefliyor.