研調揭露中國半導體技術現況及困境：中芯N+3製程落後台積電

研調揭露中國半導體技術現況及困境。示意圖。（路透）

〔財經頻道／綜合報導〕中國華為Mate 80 Pro Max智慧型手機，搭載的麒麟9030 Pro晶片，採用中芯國際 N+3 製程，這是其早期 N+2（7奈米製程）的進階版，為迄今為止中國最先進的國產半導體製造技術。《SemiAnalysis》15日發布拆解結果，中芯 N+3 製程相當於台積電的 N6 製程（6奈米，屬於7奈米家族強化版），但製程成熟度、良率及成本仍無法與台積電N6相提並論，中國並沒有縮小與台積電、英特爾、三星和之間的差距。

《SemiAnalysis》發布報告指出，拆解華為Mate 80系列所搭載的麒麟9030，揭開中芯中芯國際 N+3 製程真實水準。中國半導體技術雖有進展，仍遠遠落後台積電。

報告顯示，中芯國際 N+3 製程在電晶體密度上相當於 N6 製程（6奈米，屬於7奈米家族強化版）製程，但付出的代價相當大，需要更複雜的DUV多重曝光技術，因此在製程成熟度和成本仍無法與台積電N6相提並論。

中媒直言，如果用交易員聽得的比喻來說，就是中芯國際在做同樣面額的鈔票，但每張成本是台積電的數倍，而且良率更低，如同《SemiAnalysis》所言，製程成熟度和成本仍無法與台積電N6相提並論。

報告還指出，華為麒麟9030 Pro的效能與三年前的安卓旗艦晶片相仿，遠落後於蘋果、高通、聯發科和三星目前的旗艦級晶片，能效差距則更大。

報告指出，美國聯手盟友對中國的出口管制，並未阻止華為和中芯國際交付先進晶片，但卻迫使它們另闢蹊徑。由於無法使用EUV，中芯國際更加依賴DUV多重曝光、DTCO（設計製程協同優化），以及日益複雜的整合技術。

儘管路線圖仍在透過更嚴格的設計規則和背面功耗來推進，但每一步都會增加成本和製程風險，華為的韜定律和LogicFolding則展現了另一條路。

報導直言，中芯國際尚未超越英特爾或台積電。它採用激進的DUV微縮技術和DTCO技術實現了台積電N6等級的密度，但由於兩個原因，這種密度並沒有轉化為可比擬的性能和效率：一是與領先製程的差距，二是華為的核心設計。

中國並沒有縮小與英特爾、三星和台積電之間的差距。拆解結果在多個地方都顯示出相反的情況：沒有採用EUV，沒有背面功耗控制，製程複雜度更高，而且有明顯的取捨。

報告總結，中國仍不斷推進半導體技術，如果國產晶片的性能足以滿足手機、推理、網路和安全敏感型工作負載的需求，即使無法在技術領先地位上與台積電匹敵，它們也能在戰略上發揮重要作用。

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