
天虹科技於台北舉行先進製程實驗室開幕儀式,台積電研發先進設備暨模組發展副總經理章勳明代表出席。雙方將聚焦先進製程鍍膜設備、膜質改善技術及前驅物篩選與驗證三大核心領域,深化合作推動晶片技術進階與本土設備國產化。
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天虹科技為半導體設備廠商,此次啟用先進製程實驗室旨在深化與台積電的技術合作,推動本土設備在先進製程領域的自主研發與國產化。
天虹今(1)日舉行「先進製程實驗室」開幕啟用儀式。(天虹提供)
〔記者林薏茹/台北報導〕半導體設備廠天虹科技(6937)今(1)日舉行「先進製程實驗室」開幕啟用儀式,晶圓代工龍頭台積電(2330)研究發展先進設備暨模組發展副總經理章勳明也代表出席,雙方將聚焦先進製程鍍膜設備、膜質改善技術及前驅物篩選與驗證三大核心領域,進一步深入研究與開發。
天虹科技執行長易錦良表示,這座先進實驗室啟用,是天虹發展史上的重要里程碑,也證明台灣本土設備業不再只是追隨者,有能力成為創新者,未來將持續加大在台的研發投資,與本地的供應鏈夥伴發揮綜效,逐步實踐尖端設備國產化的願景。
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天虹盼透過此實驗室的運作,加速全球下一世代晶片技術的推進,該實驗室將作為前瞻技術的孵化基地,在先進製程鍍膜設備方面,優化本土自主研發設備,以因應嚴苛的次世代晶圓製程挑戰;針對膜質改善技術,將透過創新製程調整,提升薄膜的均勻度、填洞能力、電性特性與物理特性,進而優化晶圓性能與良率。
至於前驅物篩選與驗證方面,將針對新世代特殊化學氣體與新材料進行高效篩選,在研發初期即確保材料的化學穩定性與綠色環保標準。
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