全球4大半導體巨頭承諾採用艾司摩爾高數值孔徑EUV
台積電、三星、SK海力士與英特爾將導入造價4億美元的先進曝光設備,以應對AI時代晶片需求
Quick Look
台積電、三星電子與SK海力士宣布將採用艾司摩爾(ASML)的高數值孔徑極紫外光機(High-NA EUV),加上先前已採用的英特爾,全球4大半導體巨頭皆已導入此造價4億美元的先進設備,以滿足AI晶片複雜架構需求並提升量產效率。
AI-generated summary
Why It Matters
High-NA EUV是目前半導體製造中最先進的曝光設備,單台造價高達4億美元。該技術旨在滿足AI應用中日益複雜的電晶體架構需求。
台積電、三星電子與SK海力士8日皆承諾採用號稱「夢寐以求曝光設備」的艾司摩爾(ASML)高數值孔徑極紫外光機(High-NA EUV),以滿足日益成長的先進晶片需求。
該款EUV一台造價4億美元(123.74億台幣),目前為止,加上已從艾司摩爾接收該款機台的英特爾,全球4大晶片製造巨頭皆將導入該款機台,艾司摩爾技術長彼得斯(Marco Pieters)說,「這是採用高數值孔徑量產製造的重大一步,這是重要的里程碑」。
韓國BusinessKorea報導,全球兩大記憶體巨頭三星電子與SK海力士表示,將從2028年起,採用高數值孔徑EUV量產先進DRAM,同時攜手建立「12吋光罩」生態系,從而引領新一代半導體製程創新,邁向「下一個AI」時代。
CNBC報導,台積電表示,將使用艾斯摩爾機台製造先進晶片,並預計高數值孔徑EUV的使用量增加,因為AI應用需要日益複雜的電晶體架構。
投資人認為,高數值孔徑EUV的成功對於艾司摩爾未來的成長至關重要,其股價有望延續去年120%的漲勢。
巴克萊8日報告說,台積電、三星電子與SK海力士的宣佈「應可更清晰的展現採用前景,而這是爭論的關鍵」。該報告補充,此消息「令人振奮」。
三星、台積電與SK海力士加入英特爾行列,成為艾司摩爾的高數值孔徑EUV客戶。7月間,艾司摩爾說,英特爾正使用高數值孔徑EUV技術生產先進晶片。
艾司摩爾近期的財測並未給出銷售預期,但表示,2027年將增加30%的產能給EUV。巴克萊分析師說,「我們看到艾司摩爾面臨重要決定,亦即是否在近期已公佈的擴大目標上,進一步擴展EUV的產能,需求明顯強勁」。
台積電、三星、SK海力士與英特爾也加入艾司摩爾行列,共同推動下一代12吋光罩的研發,以取代目前的6吋光罩。艾司摩爾認為,此發展將提升高數值孔徑EUV的產能40%,同時可簡化設計程序。
What to Watch
AI outlook — possibilities, not facts
三星電子與SK海力士將於2028年起使用High-NA EUV量產先進DRAM。
Very likely · Within years
Open Questions
- 艾司摩爾是否會進一步擴大EUV產能以應對強勁需求?






