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據首爾經濟日報報導，三星電子將採用台積電3奈米製程，為輝達下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）製造基礎晶粒，此舉為三星首次在HBM製造階段與台積電合作。
AI-generated summary
Why It Matters
輝達於8月發表NVHBM，旨在整合記憶體控制器以統一供應商實作方式。
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（中央社首爾18日綜合外電報導）韓國「首爾經濟日報」今天報導，三星電子將採用台積電的3奈米製程，為輝達（Nvidia）下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）晶片製造基礎晶粒（base die）。
根據「首爾經濟日報」（Seoul Economic Daily），此舉將是三星電子（Samsung Electronics）首次在HBM製造階段與台積電合作。
「首爾經濟日報」引述產業消息人士報導，輝達已要求三星、SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron Technology）在NVHBM基礎晶粒採用台積電製程，並在核心晶粒採用第6代DRAM技術。
根據輝達，8月發表的NVHBM將輝達客製化記憶體控制器整合進基礎晶粒，旨在統一多家記憶體供應商的實作方式。
據報導，三星經過內部審查後同意輝達的要求，但仍計劃以自有製造模式生產標準HBM，以及為其他客戶量身打造的產品。
「首爾經濟日報」引述一位不具名消息人士指出，三星也正在評估，若需求超出台積電產能，是否可由自家晶圓代工部門生產NVHBM基礎晶粒。
What to Watch
AI outlook — possibilities, not facts
三星將採用台積電3奈米製程生產NVHBM基礎晶粒。
Likely · Within months
Open Questions
- 台積電產能是否足以應付輝達需求？
- 三星自有生產模式的具體時程為何？
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This article was originally published by 中央社.
