IET-KY董座：國防與光通訊兩大成長引擎 明年營運正面樂觀

半導體磊晶廠英特磊IET-KY（4971）今日召開線上法說會，IET-KY董事長高永中正面樂觀看待明年表現，高永中表示，美國聯邦晶片法案補助預期年底完成簽約，德州新廠二期擴建執行中，預計明年第一季可完工，雖然最近有AI資料中心建置恐會延後的雜音，但從客戶端得到的仍是明年將持續成長，IET-KY將以國防高毛利產品擴產、InP基板供應改善及新產品量產為三大成長方向，在國防與AI高速光通訊雙重需求帶動下，營收與獲利有望持續成長。

高永中表示，GaSb紅外線探測器磊晶片受惠國防客戶年底加速下單，預期明年國防和商用訂單規模將持續擴大，公司規劃明年啟動第四台GaSb生產機台，提升供貨效率。GaAs產品亦獲國防及商用大廠第四季追加訂單，出貨動能可望延續；磷化銦（InP）仍為英特磊最大核心產品線，受惠AI資料中心高速傳輸需求成長，PIN PD磊晶片訂單持續增加，但產出仍受限於InP基板供應短缺，正透過協助歐洲供應商改善良率、自行研磨回收基板等方式增加原料來源，新興APD及HBT磊晶產品亦準備於明年導入量產。

有關新產品研發，持續開發量子點雷射（QD Laser）及變晶型PIN（m-PIN）磊晶片，QD Laser初期研發表現超過預期，而m-PIN採用價格較低、供應相對穩定的GaAs基板生長InP PIN結構，有機會在InP基板缺貨情況下切入部分光接收器（PD）市場，降低對傳統InP基板的依賴，成為未來AI高速光通訊的重要技術布局；氮化鎵（GaN）二次長晶已建立台灣接單及在地生產模式，並有固定客戶定期下單，客製化新材料MBE機台「先租轉買」合約亦接近完成。