中韓記憶體技術差距縮小 韓媒：高頻寬記憶體僅差3年

韓國半導體協會（KSIA）13日報告指出，韓國與中國在記憶體的技術差距迅速縮小，在高頻寬記憶體（HBM）方面，該差距已縮小至3年、DRAM 2年、NAND快閃記憶體1年。相關差距一度預估超過5年，如今已縮小至1個世代或不到1代的技術距離。

韓國中央日報報導，中國技術進展的跡象已經浮現。中國長鑫存儲正與阿里巴巴旗下無廠半導體子公司平頭哥（T-Head）測試其第5代HBM（HBM3E）。長鑫計畫最快明年初推出使用該款晶片的資訊科技產品。HBM3E僅落後三星電子、SK海力士與美企美光科技目前生產的HBM4 1個世代。

漢陽大學教授白瑞仁（Baek Seo-in）指出，中國以超乎預期的速度，在半導體領域急起直追，「實際上將2至3年的進程壓縮至1年。中國政府的支持、廣大的國內市場以及強大的研究生態系，快速推動了技術發展」。

報導說，中國在HBM的進展尤其令人憂心，因為儘管美國嚴格管制，中國的技術仍持續推進。極紫外光機（EUV）對製造先進HBM至關重要，而中國在美國的出口管制下，無法採購該設備。

為此，中國轉向後端製程，尤其是涉及晶片堆疊與連結的先進封裝與異質整合（heterogeneous integration）技術。據悉，長鑫已將X-Stacking技術應用於其HBM的設計，X-Stacking則為長江存儲開發的3D NAND快閃記憶體鍵合技術。此技術直接鍵結兩個晶圓，縮短電路之間的距離，因此無需EUV設備即可有更大頻寬，以及產生更少廢熱。

嘉泉大學（Gachon University）半導體學院講座教授金容奭（Kim Yong-seok）指出，中國企業透過尋求替代方式採購關鍵元件與研發自己的技術，來反制美國先進晶片與設備的出口管制。中國的HBM在其廣大國內市場與持續增加的融資資源支撐下，取得推進動能，韓國的晶片產業必須加速回應步伐。