DB하이텍, 8인치 1200V SiC MOSFET 공정 신뢰성 검증 완료…내년 양산 목표

DB하이텍은 8인치 웨이퍼 기반 1천200V 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 공정의 신뢰성 검증을 완료하고 내년 양산을 목표로 SiC 파운드리(반도체 위탁생산) 사업을 본격화한다고 9일 밝혔다.

SiC는 실리콘(Si)보다 고온·고전압 환경에서 특성이 우수해 전기차와 신재생에너지, 산업용 전력기기 등에 활용되는 차세대 전력반도체 소재다. 현재 6인치 웨이퍼가 주류지만 생산 효율과 원가 경쟁력을 높이기 위해 8인치 전환이 진행되고 있다.

DB하이텍은 이번 검증을 통해 세계 최초로 8인치 1천200V SiC 파운드리 일괄공정을 구축했다. 설계부터 제조와 특성 평가, 신뢰성 검증까지 지원하는 파운드리 서비스 체계를 갖춰 고객 제품 개발과 신규 고객 확보에 나설 계획이다.

또 고객의 제품 개발을 지원하기 위한 1·2세대 PDK(프로세스 디자인 키트)를 제공하고 오는 11월에는 3세대 PDK를 출시할 예정이다. PDK를 활용하면 초기 개발 부담을 줄이고 제품 개발 기간을 1년 이상 단축할 수 있다고 DB하이텍은 설명했다.

DB하이텍은 올해 3분기부터 기존 협력 고객을 대상으로 공정 서비스를 시작하고, 내년 2분기부터 모든 고객으로 서비스를 확대할 계획이다.