長鑫存儲DRAM市占率達10% 南韓半導體業憂心技術領先地位

今年第2季，長鑫DRAM全球市占率已達10%。

南韓《BusinessKorea》以及《MAEIL Business》等媒體報導，市場調查公司Counterpoint Research公布，今年第2季中國長鑫存儲已搶下全球DRAM 10%市場，此消息加劇南韓半導體業界的危機感，因為「南韓唯一仍領先中國的製造業就剩DRAM，如果南韓無法維持DRAM領域無法跨越的領先，這個國家就沒有未來了」。

相關報導說，中國DRAM巨頭長鑫存儲達到雙位數的全球市占率，令南韓半導體業者憂心忡忡，擔心若不採取行動，中國將進一步縮小與南韓技術差距，重演南韓在液晶顯示器（LCD）與充電電池（或稱二級電池，secondary batteries）領域落敗的覆轍。

南韓半導體業者呼籲，解除半導體研發人員每週52小時的工時限制、加重技術洩漏處罰，以及加強創新研發，以維持南韓的技術領先。其中，解除52小時工時的訴求最為迫切。

一名半導體研究人員說，在進行研究時，有時感覺如果多一點時間，就能取得成果，「這些是需要繼續工作的關鍵時刻，但在每週52小時工時限制下，被迫停止工作」。

自南韓實施52小時工時制以來，員工必須在規定停工時間離開公司，換言之，即使正全心投入研究，半導體研究人員也必須中斷工作，而在家工作也幾乎不可能，因為擔心機密資料外洩。

報導說，中國半導體公司的研發人員正日以繼夜工作，以追趕南韓公司，南韓的工時制因限制工作時數，削弱半導體開發競爭力而遭抨擊。

再者，儘管去年7月生效的新版《防止洩漏及保護產業技術法》將向海外洩漏國家核心技術的最高罰款從15億韓元（3532億台幣）提升至65億韓元（1.53億台幣），並擴大犯罪範圍與成立條件，然而業界人士說，相較於其他國家，南韓對技術洩漏的罰責仍顯乏力。台灣法院近期將洩漏台積電2奈米製程技術給日本設備製造商東京威力科創的前員工，重判10年徒刑。

積極進行未來技術的研發也至關重要。中國DRAM技術尚未追上南韓的主要原因之一，是美國禁止艾司摩爾（ASML）向中國出口極紫外光機（EUV），這引發業者憂心，中國企業可能透過積極開發無需EUV設備，即可製造DRAM的技術來超越南韓。