美台韓晶片巨頭共組EPIC中心 對抗中國記憶體崛起

儘管中國在一年內率先實現DRAM量產的消息引發全球股市波動，但包括三星電子在內的全球半導體公司已結成研發聯盟，展開反擊。全球半導體設備公司應用材料（AMAT）斥資50億美元，攜手三星、SK海力士、台積電和英特爾，啟動矽谷EPIC中心計畫。

應用材料在美國加州桑尼維爾（Sunnyvale）揭幕EPIC中心，這是一個研發合作中心，匯集三星電子、SK 海力士和台灣台積電等主要半導體公司。特別是，三星電子與輝達和超微合作，發布先進的半導體產品，展現其作為頂級記憶體半導體公司的地位和實力。

EPIC中心總投資50億美元，是全球最大的半導體製程技術和製造設備聯合研發中心。包括三星電子、SK海力士、台積電、英特爾和美光在內的創始合作夥伴，以及博通、愛德萬測試、Screen、鎧俠和Besi等創新合作夥伴，還有史丹佛大學和加州大學柏克萊分校等主要大學，將在EPIC中心開展合作。

SK海力士總裁兼執行長郭魯正（Kwak No-Jung）表示，他打算透過與應用材料的合作，應對高頻寬記憶體 （HBM）、DRAM 和 NAND等領域的重大技術轉折點。

這種全方位的全球聯盟與中國追求超越半導體自主化、實現主導的目標密切相關。由於美國對先進技術的出口管制，中國與西方國家的技術交流實際上受到阻礙，但在政府的領導下，中國正積極突破這項限制，並迅速提升自身競爭力。

例如，當美國禁止荷蘭ASML公司向中國出口極紫外線（EUV）設備時，中國開發了自己的深紫外線（DUV）微影設備，以提高其在精細製程領域的競爭力。

因此，被譽為中國領先的DRAM廠商的中國長鑫儲存展現出顯著的成長勢頭，近期宣布量產下一代行動DRAM－LPDDR6。該公司還宣布，將在年內率先採用下一代DRAM架構（4F²）推出伺服器記憶體DDR5 RDIMM，而三星電子和SK海力士等廠商至今尚未公佈該架構的量產計劃。

根據Counterpoint Research等市場研究公司的數據顯示，今年第二季度，三星電子在全球DRAM市場和NAND市場分別佔39%和29.3%的份額，位居榜首。長鑫儲存的市佔率為10%，較去年同期（4%）成長超過一倍，進一步鞏固了其領先地位。

儘管業內人士對品質和其他因素提出了質疑，但市場仍然波動。 長鑫儲存量產的消息傳出後，美光科技、三星電子和SK海力士的股價均大幅下跌。

作為回應，市場領導者三星電子在2026年10月12日於美國加州聖荷西開幕的「開放運算計畫 （OCP） 全球高峰會」上公佈了與包括輝達和超微在內的全球人工智慧 （AI） 半導體產業的合作成果。三星介紹了其技術競爭力，包括代工工藝，例如2 奈米 GAA 晶圓、Groq 語言處理單元 （LPU） 晶圓和 Nvidia Groq 3 LPX 系統，以及與全球人工智慧公司合作的案例。

三星與超微合作推出了一項計劃，旨在利用「計算快速連接」（CXL）技術來突破現有系統的記憶體容量限制。該計畫意義重大，因為它展現了雙方合作的拓展，旨在驗證該技術在實際系統環境中的性能，並提升人工智慧基礎設施的運作效率。三星電子也展示了一項開放的合作策略，即與全球客戶和合作夥伴共同設計人工智慧系統，並在真實環境中驗證該技術。