三星也得配合！輝達下一代HBM指定台積電3奈米製程

韓媒報導，輝達下一代客製化高頻寬記憶體（NVHBM），指定採用台積電3奈米製程製造基礎晶粒。三星經過內部評估後，已決定接受這項要求。

韓媒報導，輝達下一代客製化高頻寬記憶體（NVHBM）指定採用台積電3奈米製程製造基礎晶粒，並要求三星、SK海力士與美光統一製程規格。三星評估後決定配合，這也是三星與台積電首度從HBM晶片製造階段合作，顯示三星在輝達客製化HBM訂單上，不再堅持一體化供貨模式，改以配合客戶要求、提高供貨彈性。

《首爾經濟日報》18日報導，輝達為確保客製化HBM的產品效能與品質一致，要求三星電子、SK海力士及美光，採用相同的製程規格製造下一代客製化HBM，其中基礎晶粒（Base Die）須採用台積電3奈米製程。三星經過內部評估後，已決定接受這項要求。

報導指出，輝達今年8月提出名為NVHBM的客製化HBM方案，預計以第七代HBM、HBM4E為基礎。除了要求基礎晶粒採用台積電3奈米製程，也要求負責儲存資料的核心晶粒（Core Die）使用第六代DRAM製程「1c」。

輝達希望透過統一製程，降低不同供應商產品之間的效能差異與驗證負擔。如果各家記憶體廠商採用不同製程，即使產品規格相近，仍可能需要分別進行驗證；統一關鍵製程，有助於確保產品表現的一致性。

這項安排也讓三星與台積電的合作進一步延伸。過去雙方曾在先進封裝方面有所合作，協助HBM與台積電封裝技術整合，但這次是首度從HBM晶片製造階段展開合作。對三星而言，這代表在輝達客製化記憶體方案中，部分製程選擇須配合客戶要求。

不過，這不代表三星全面放棄自家製程。報導指出，三星一般HBM產品仍維持自家整合製造策略，包括以三星4奈米製程製造基礎晶粒，核心晶粒則採用自家1c製程。三星今年初已開始量產HBM4，HBM4E也正進行量產驗證。

至於其他客戶的客製化HBM產品，三星仍計畫維持整合製造模式。報導也提到，若未來NVHBM需求超出台積電產能，三星仍在評估是否能改以自家晶圓代工製程生產基礎晶粒，作為備援方案。